目前高通在旗舰5G芯片上仍然采用AP外挂基带的方式（如骁龙865 X55），而在高通芯片上如骁龙765则实现了集成。高通方面表示，至于外挂还是集成，完全是出于满足性能要求而考虑，高通绝不要仅为了做一颗SoC，而牺牲掉AP和基带的性能。一位通信行业人士看来，目前7nm的工艺条件下，可能不足以支持旗舰5G SoC的性能要求，特别是在毫米波频段，对于芯片的面积和功耗都提出了十分大的挑战。
由于高通面向全球的运营商以及终端厂商等广泛客户，相比于竞争对手的芯片仅仅支持有限频段的毫米波而言，要实现对于5G网络的全面支持面对的挑战更大，这可能是目前高通的5G芯片普遍采用外挂式基带的原因，但其表示5nm制程在晶体管密度和性能上有比较大的提升，5nm节点实现旗舰5G SoC存在可能。高通方面表示目前骁龙865只能搭配X55使用，对于X60能否搭配骁龙865，目前没有这样的规划。
照此分析，骁龙X60应该会搭配高通下一代的旗舰AP使用，如果不出意外，高通的下一代旗舰AP也将会采用5nm制程，因此，高通下一代5G旗舰芯片在5nm上实现集成有非常大的想象空间。目前高通最新的旗舰5G芯片（骁龙865 X55）都是由台积电代工。高通今日并没有透露5nm工艺的代工方。高通方面表示，将于今年一季度末对骁龙X60和QTM535进行出样，搭载该方案的商用旗舰智能手机预计于2021年初推出。
而根据早前韩国媒体报道称，高通的下一代5G旗舰芯片骁龙875由台积电代工，采用台积电的5nm工艺制造，内部集成5G基带，预计2020年底发布，用于2021年出上市的旗舰智能手机。“玩转”载波聚合提升网络性能骁龙X60的另一大亮点在于强大的载波聚合能力。在业内人士看来，载波聚合的能力一直是高通的传统优势，其在4G时期也率先发布了在载波聚合方面的技术，将全球运营商的不同、零散的频段很好地整合在一起，如今进入5G时代，全球运营商的频段更加多样和复杂，高通则将载波聚合一优势能力继续放大。
高通产品市场高级总监沈磊表示，因为每个国家和地区的频谱和频段划分不一致，从全球来看频谱和频段复杂性非常高。载波聚合能够把6GHz以下和毫米波这些离散的、各有特性的频谱聚合在一起，提供更好的用户体验，更好的识别率、覆盖率、网络容量。此外，毫米波和6GHz以下频段随着频谱的升高或降低，它的频宽、速率还有覆盖性都会发生变化，各具特性，载波聚合可以灵活地根据实际可用的频谱来优化网络的特性。
X60强调的载波聚合能力更加着眼于下一阶段全球的5G演进过程，比如毫米波以及6GHz以下的频率共存，以及全面向独立组网（SA）迁移的趋势，通过进一步实现5G频段的聚合和高效利用，提升网络容量和速率。骁龙X60成为全球首款支持毫米波- 6GHz以下聚合的5G调制解调器及射频系统，它能够为运营商提供全面丰富的选择，帮助运营商最大程度地利用频谱资源，以兼顾实现最优网络容量及覆盖。
