28nm芯片的代表作是什么？
国家首要任务是实现28纳米芯片国产化。28纳米是半导体成熟与先进制程工艺的分水岭，除了对功耗、尺寸要求比较苛刻的手机、电脑芯片，已能满足大部分的市场需求。很多人认为国内最缺的工艺是各种先进工艺，比如14nm，7nm甚至5nm等，这些是我们生活中常见的半导体制程，广泛应用与手机、笔记本等消费领域，然而实际情况可能大出意外。
目前7nm主要应用在CPU和GPU等对性能要求比较高的芯片中，比如高通骁龙888、AMD和英特尔的CPU和英伟达的GPU等高端显卡。14nm14nm制程首要用于中高端AP/SoC、GPU、矿机ASIC、FPGA、汽车半导体等制造。而关于中国大陆本土的晶圆代工厂来说，特别是中芯世界和华虹，正在开发14nm制程技能，距离量产时刻也不远了。
28nm因为性价比进步一直以来都被视为摩尔定律的中心意义，所以20nm以下制程的本钱上升问题一度被认为是摩尔定律开端失效的标志，而28nm作为最具性价比的制程工艺，具有很长的生命周期。虽然高端市场会被 7nm、10nm以及14nm/16nm工艺占据，但40nm、28nm等并不会退出。如28nm~16nm工艺现在仍然是台积电营收的重要组成部分。
物联网设备、iot、基带等对于性能要求不高，但是对于能耗比要求高的芯片会使用28nm，比如我国的北斗GPS导航芯片已经使用28nm。国家制定芯片自给率的时间点上，2025年希望芯片自给率达到70%，但这里的自给率从不同角度理解，有不同的答案。生产、设计、设备、材料、设计软件以及相关技术都考虑在内的话，达到70%的自给率确实不简单。
在国产化的道路上，前不久中国电科传来了好消息，已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，工艺覆盖至28纳米。这意味着国产芯片产业链又补上了重要一环。薄膜生长设备方面，北方华创的PVD设备和沈阳拓荆的CVD设备都可以用于28纳米工艺生产。在光刻胶方面，南大光电的ArF光刻胶已经在28纳米工艺节点有所突破。28纳米光刻机，也正在路上。
如果这些设备都在未来一两年通过得产业链验证，那么28纳米工艺的国产芯片就可以基本实现了。虽然28纳米工艺不算先进，但非常有利于提高我国芯片的自给率。当然，这里的自给率把半导体设备也考虑在内，而不仅是芯片设计和制造。直白点，起码做到成熟工艺不被卡脖子，提高中低端芯片自给率。在此基础上延伸至高端芯片领域。
28nm芯片和5nm芯片的用途以及两者有何本质区别？
要搞清楚这个问题，我们得先弄清楚，28nm（纳米）和5nm的nm是什么意思，为什么这么区分。28nm、5nm工艺中的nm，指的是晶体管的栅极宽度（也叫线宽），通常也认为是晶体管导电沟道的长度。以5nm为例，在整个芯片电路中，晶体管的栅极是最窄的线条。如果栅极宽度为5nm，则将其称为5nm工艺制程。28nm和5nm的本质区别就是晶体管宽度，当晶体管越小，则相同尺寸的芯片可以容纳更多的晶体管，7nm时代，芯片的晶体管数量大约在70万，而到了5nm时代，已经可以做到120亿甚至150亿晶体管了（麒麟9000就是153亿个晶体管），所以制程工艺的提升，对性能提升是很直观的。
并且晶体管线宽越小，反而能耗更小。目前28nm芯片在PC端和移动端都很少见了，毕竟28nm的制程有点落后，多用在一些大型设备上，这些设备不用考虑功耗和散热，也不在乎芯片面积，追求的是性能和稳定。至于5nm，在移动端已经非常普及，很受欢迎。看看去年的A14、麒麟9000、高通骁龙888，都是5nm工艺，甚至三星的Exynos2100、1080都是用的5nm工艺，据说今年三星和台积电双双切换到4nm，就是为了进一步优化5nm的功耗和发热问题。
如果把5nm的短板补齐，那4nm即使性能不怎么提升，使用体验也会大户提升的。所以28nm和5nm的用途主要就是设备选择上，5nm更多是小型微型设备，这种设备要考虑空间、功耗、散热，要求非常高；28nm则相对粗狂一点，只要性能稳定，能够叠加就好，对于算力，要求没那么极致。总的来说，制程往小了研发是大趋势，优势多多，行业使然！。
台积电大陆扩产28nm芯片工厂，在美国建3nm芯片工厂，意欲何为？
正常商业行为。首先，28nm芯片在国内已经相当成熟，外资锦上添花扩产自然是资本为己利益优先服务，也算商业正常行为，无需“阴谋论”般过份解读。其次，台积电这次扩产对于28nm芯片整体供货格局不产生影响，反而可以缓解目前国内缺货现状，对我国国产同级别芯片产业产生的挤压效应有限。比如，公开资料显示，2020年台积电晶圆产能为270万片，占比全球13.1%，扩充每月2万产能，只占0.7%，我国晶圆产能2020全球占比42%，从二者两个角度看，台积电这次扩产影响不大。
第三，我国境内外商投资芯片有很多，比如，联电、Tower、三星、英特尔等等，随便一个产能都与台积电相当，甚至超过台积电，难道我们要阻止他们扩能吗？阻止人家发展吗？至于在我国投资小，在美国投资多，在我国投低端芯片，在美国投高端芯片，这都是很自然的事，在合适的地点，合适的时间做合适的、匹配的事，达到资源最优配置，无可厚非。
高通x50 5G基带采用28nm制程技术，是为抢5G基带首发还是出于成本考虑？
应邀回答本行业问题。其实就高通的X50基带而言，现在上市的是10nm制程，而最早期的是28nm制程。高通X50的最早期产品是在2016年发布的，是基于28nm制程的，而高通X50开始的时候，并不是基于3GPP的5GNR的产品。高通的X50最早发布是在2016年10月，其实最早期还真不是基于3GPP的5GNR的产品。
这里涉及到通信业的互相妥协的过程。第一个商用的3GPP框架下的5GNR版本是R15版本，其中R15 NSA版本冻结于2017年12月(NSA Option 3)、R15 SA版本冻结于2018年6月(SA Option 2)、R15 Late Drop(NSA Option 4、NSA Option 7)冻结于更晚的时间。
从3GPP的R15版本的冻结时间来看，是远远的落后于高通的X50基带的发布时间的。我们都知道的是一个硬件的发布如果是基于某个标准，一定会是在标准发布之后，谁也不能未卜先知的发布一个产品。其实全球不仅仅是一个3GPP在制定5G标准，而3GPP之所以引入了NSA和SA两种组网模式，也是为了抢占高地，而使得3GPP发布的5GNR被国际运营商部署。
在3GPP R15之前，有一个北美的5GTF标准的5G版本，是基于28Ghz的毫米波的5G无线宽带产品，估计很有可能X50最初是给这个系统研发的。而高通的X50最早期的发布，也不会是基于3GPP R15版本的，现在可以在3GPP R15 NSA网络中应用，也是需要做出一定的改动的。最早期的28nm 的X50版本，很大程度是一种实验室的版本，而在后续的基于R15的X50版本，逐渐的改成了10nm的X50基带。
现在就一些公开的资料显示，现在的搭载在手机平台上的X50，已经是基于10nm制程的了。高通的X50基带注定是过渡产品，未来的X55才会是比较成熟的产品。高通的X50基带，只支持NSA版本的5G，而且不兼容2/3/4G，所以必须要外挂使用。而后续的X55基带，才可以支持NSA/SA双模，而且同时兼容2/3/4G，才可能被集成到手机的Soc里，这个是比较成熟的产品。
