一些公司正准备利用EUV光刻技术大规模生产DRAM芯片。那时，EUV平版印刷术将发挥更大的作用。中国将如何攻克半导体行业的光刻难题？业内专家也指出，高性能光刻技术对中国企业来说成本高昂，但其战略意义不容忽视。相关数据显示，EUV光刻技术将使摩尔定律继续发挥作用，甚至在工艺缩小到1纳米后，摩尔定律仍将继续适用。
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？
在当今半导体产业竟争白灼化的今天，荷兰光刻机的ASML公司宣布实现第100套极紫外光刻系统的出货，至2021年年底就采用EUV光刻机光刻了2600万片晶圆半导体材料。在半导体技术不断发展的时代，光刻的精度也在提高，2021年先进工艺就要进入5纳米至3纳米的工艺节点，极紫外光刻成为绕不开的独木桥，EUV光刻机就是半导体龙头企业竞相购买的焦点。
那么今后，极紫外光刻技术怎样发展？行业巨龙怎样铸就？中国又将在半导体产业上怎样攻克光刻技术的难题？我就从相关媒体渠道的消息知熟后，谈谈自己的认识。首先芯片制造领先大企，不停的争买极紫外光刻设备。芯片先进工艺制程的竞争形势，用得EUV者得芯片天下来形容并不为过。象台积电三星电子等大企都在快速推进EUV的进程。
促使EUV光刻机成为半导体巨头们在先进工艺领域抢夺优势的焦点。2020年以来，几大芯片制造商的高层拜访光刻机制造商ASML公司频次增多，每个企业都希望在核心的EUV设备夺得先机，谋求ASML提供更多的EUV设备，也希望ASML协助更加顺利地使用已经购买的EUV光刻机。ASML成为台积电三星英特尔等三芯片制造商争相拉拢对象，是由于半导体逻辑制程技术到达7纳米以下，由于线宽过细，必须使用EUV作为曝光媒介再加上EUV设备产能有限，致使其成为香馍馍。
其次在5纳米至3纳米的芯片制造过程中极紫外光刻是必须的。随着半导体技术的发展，光刻的精度不断提高，已由微米级经过多层级细化到目前的纳米级，曝光光源的波长也成为EUV线宽突破10纳米7纳米5纳米3纳米工艺的关键。有关媒体消息显示，芯片制造的难点和关键点在于把电路图从掩膜上转移至硅片上，就需要通过光刻来实现。
光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。若是用EUV光刻机，晶圆厂就能减少把芯片设计缩小所遇到的光学麻烦，在这过程中也能省去一些多重图形曝光的步骤，在设计很好的情况下，是能够除降低成本和缩短时间，提高良品率的。所以在ASML的EUV光刻机卖价高达每台1.2亿美元的情况下，芯片厂商都还在积极采购。
在今后芯片先进工艺将会不断推进，达到3纳米2纳米，甚至是1纳米。那个时侯，EUV光刻技术将会发挥更大的作用。有关资料显示EUV光刻技术将促使摩尔定律继续发挥作用，即使工艺微缩到了1纳米后，摩尔定律也会继续适用。再次EUV技术将会大力应用于存储芯片，成为ASML极紫外光刻设备的下一个大客户。不仅逻辑芯片制造要用到EUV设备，而且在今后美光SK海力士等存储芯片大厂在量产DRAM时也会用到EUV设备。
有关半导体专家指出，存储器主要分为两种一种是DRAM，另一种是3D NAND。3D NAND竞争目前主要集中在芯片层数上，虽然也需要线宽的微缩化，但需求不那么迫切。而DRAM存储器则不同，如果要往1z1214nm以下推进，就需要用到EUV光刻机。那时，将会有更多存储器厂商订购EUV设备。据悉，目前已有厂商试着将EUV应用于1z DRAM的生产当中。
一些公司正准备利用EUV光刻技术大规模生产DRAM芯片。内存芯片厂商有三星SK海力士美光等很多。据报道，他们正在寻找工程师和行业人员来管理EUV设备。考虑是否采用EUV的关键是芯片生产的成本和效率。结果表明，EUV使得多图案曝光技术在成本和效率方面的优势更加明显。
